fbpx Samsung Galaxy S12 sẽ có thời lượng pin gấp đôi Galaxy S10.

Samsung Galaxy S12 sẽ có thời lượng pin gấp đôi Galaxy S10.

MobileCenter Đànẵng

Samsung mới đây đã công bố một đột phá mới cho phép công ty cải thiện hiệu năng. Và quan trọng hơn là thời lượng pin trên các Samsung Galaxy S12 trong tương lai. Tất cả là nhờ các công nghệ có mặt trên bộ vi xử lý mới được Samsung tiết lộ tại sự kiện Samsung Foundry Forum 2019 tổ chức tại Santa Clara, CA.

Samsung Galaxy S12 sẽ có thời lượng pin gấp đôi Galaxy S10
Samsung Exynos 9

Theo trang T3, nếu Samsung đi đúng hướng thì trong tương lai sẽ tạo ra một con chip 3nm mới. Hứa hẹn cải thiện hiệu năng 35% và tiết kiệm năng lượng hơn 50%. Điều này gián tiếp xác nhận Galaxy S12 sẽ sở hữu thời lượng pin gấp đôi so với thế hệ Galaxy S10 hiện tại với con chip Exynos 7nm.

Theo Handel Jones, giám đốc điều hành của công ty tư vấn International Business Strategies. Samsung đang đi trước các nhà sản xuất chip đối thủ khi nói đến quy trình mới, được gọi là Gate All Quanh, hoặc GAA.

“Samsung đi trước TSMC trong GAA khoảng 12 tháng. Intel có thể chậm hơn Samsung hai đến ba năm”, Jones nói với Cnet.

Dự kiến, thế hệ chip di động 3nm đầu tiên sẽ được thử nghiệm vào năm 2020. Và việc sản xuất hàng loạt vào năm 2021. Điều đó có nghĩa là chúng ta có thể thấy chipset mới này sẽ được tích hợp trên chiếc Galaxy S12. Với điều kiện Samsung không thay đổi lịch ra mắt hằng năm của hãng.

Và với thành tựu mới trong việc sản xuất chip di động. Chắc chắn Huawei, Qualcomm cũng như Apple (TSMC) sẽ cần phải nỗ lực để bắt kịp Samsung trong mảng sản xuất phần cứng nếu không muốn bị “tụt hậu” lại phía sau.

Theo: T3

MobileCenter Đànẵng
Đăng ký mua trả góp
Giá sản phẩm:
BẢNG DỰ TOÁN MUA HÀNG TRẢ GÓP (THAM KHẢO)

Số tiền thanh toán trước 0 VNĐ

Số tiền thanh toán hàng tháng 0 VNĐ

ĐĂNG KÝ TRẢ GÓP
Gửi thông tin mua trả góp thành công!